PJW3N10A_R2_00001 Panjit International Inc. | FET, MOSFET simples

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PJW3N10A_R2_00001
Numéro de produit DigiKey	3757-PJW3N10A_R2_00001TR-ND - Bande et bobine 3757-PJW3N10A_R2_00001CT-ND - Bande coupée (CT) 3757-PJW3N10A_R2_00001DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Panjit International Inc.
Numéro de produit du fabricant	PJW3N10A_R2_00001
Description	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 2,2 A (Ta) 3,1W (Ta) Montage en surface SOT-223
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Panjit International Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9.1 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 508 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,2 A (Ta)	Boîtier fournisseur SOT-223
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 310mohms à 2,2A, 10V	Numéro de produit de base PJW3N10A

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