Name: RFD12N06RLESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD12N06RLESM9ATR-ND
Price: 1.7787 EUR
Availability: InStock

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RFD12N06RLESM9A
Numéro de produit DigiKey	RFD12N06RLESM9ATR-ND - Bande et bobine RFD12N06RLESM9ACT-ND - Bande coupée (CT) RFD12N06RLESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	RFD12N06RLESM9A
Description	MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 18 A (Tc) 49W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V
Série UltraFET™	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 485 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 49W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base RFD12N06
Rds On (max.) à Id, Vgs 63mohms à 18A, 10V

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Documents et supports

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2 500	0,37492 €	937,30 €
5 000	0,34819 €	1 740,95 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,47000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,77870 €

RFD12N06RLESM9A