Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Pont en H 650 V 26 A 16-SSIP plot exposé, broches formées
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NXV65HR82DS2

Numéro de produit DigiKey
488-NXV65HR82DS2-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NXV65HR82DS2
Description
MOSFET IPM 650V 26A 16-SSIP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
Modules de circuit d'attaque de puissance MOSFET Pont en H 650 V 26 A 16-SSIP plot exposé, broches formées
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Tension
650 V
Fabricant
onsemi
Tension - Isolement
5000Vrms
Conditionnement
Tube
Grade
Automobile
Statut du composant
Actif
Qualification
AEC-Q101
Type
MOSFET
Type de montage
Trou traversant
Configuration
Pont en H
Boîtier
16-SSIP plot exposé, broches formées
Courant
26 A
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 112
Stock usine : 3 168
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
129,80000 €29,80 €
1024,20000 €242,00 €
7221,57917 €1 553,70 €
14420,95326 €3 017,27 €
28820,43823 €5 886,21 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:29,80000 €
Prix unitaire avec TVA:36,05800 €