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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NXH015F120M3F1PTG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 488-NXH015F120M3F1PTG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NXH015F120M3F1PTG |
Description | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 77 A (Tc) 198W (Tj) Montage sur châssis 22-PIM (33,8x42,5) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 30mA |
Fabricant onsemi | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 211nC à 18V |
Conditionnement Plateau | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4696pF à 800V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 198W (Tj) |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 4 canaux N (pont complet) | Type de montage Montage sur châssis |
Fonction FET Mode de déplétion | Boîtier Module |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Boîtier fournisseur 22-PIM (33,8x42,5) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 77 A (Tc) | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 19mohms à 60A, 18V |
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Tous les prix sont en EUR
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 57,85000 € | 57,85 € |
| 28 | 44,19464 € | 1 237,45 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 57,85000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 69,99850 € |
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