Name: NVTFS5124PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVTFS5124PLTWGOSTR-ND
Price: 1.2221 EUR
Availability: InStock

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NVTFS5124PLTWG
Numéro de produit DigiKey	NVTFS5124PLTWGOSTR-ND - Bande et bobine NVTFS5124PLTWGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVTFS5124PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVTFS5124PLTWG
Description	MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 2,4 A (Ta) 3W (Ta), 18W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVTFS5124PLTWG Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 18W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,4 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur 8-WDFN (3,3x3,3)
Rds On (max.) à Id, Vgs 260mohms à 3A, 10V	Boîtier 8-PowerWDFN
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base NVTFS5124