Name: NVTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NVTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 1.8513 EUR
Availability: InStock

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NVTFS5116PLTWG
Numéro de produit DigiKey	NVTFS5116PLTWGOSTR-ND - Bande et bobine NVTFS5116PLTWGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVTFS5116PLTWG
Description	MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 6 A (Ta) 3,2W (Ta), 21W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVTFS5116PLTWG Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1258 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,2W (Ta), 21W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur 8-WDFN (3,3x3,3)
Rds On (max.) à Id, Vgs 52mohms à 7A, 10V	Boîtier 8-PowerWDFN
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA	Numéro de produit de base NVTFS5116