Name: NVMTS1D2N08H
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D2N08HTR-ND
Price: 7.7319 EUR
Availability: InStock

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NVMTS1D2N08H
Numéro de produit DigiKey	488-NVMTS1D2N08HTR-ND - Bande et bobine 488-NVMTS1D2N08HCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMTS1D2N08HDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMTS1D2N08H
Description	MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 43,5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMTS1D2N08H Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 147 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10100 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 43,5A (Ta), 337A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 8-DFNW (8,3x8,4)
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,1mohms à 90A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 590µA	Numéro de produit de base NVMTS1