Name: NVMTS1D1N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTS1D1N04CTXGTR-ND
Price: 8.6757 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVMTS1D1N04CTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMTS1D1N04CTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMTS1D1N04CTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMTS1D1N04CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMTS1D1N04CTXG
Description	T6 40V SL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 48,8A (Ta), 277A (Tc) 4,7W (Ta), 153W (Tc) Montage en surface 8-DFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	48,8A (Ta), 277A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,1mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 210µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5410 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	4,7W (Ta), 153W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFNW (8,3x8,4)
Boîtier	8-PowerTDFN