Name: NVMJST0D9N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJST0D9N04CTXGTR-ND
Price: 3.509 EUR
Availability: InStock

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NVMJST0D9N04CTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMJST0D9N04CTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMJST0D9N04CTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMJST0D9N04CTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMJST0D9N04CTXG
Description	TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 531A (Tc) 555W (Tc) Montage en surface 10-TCPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMJST0D9N04CTXG Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6100 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 555W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 531A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 10-TCPAK
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,07mohms à 50A, 10V	Boîtier 10-PowerLSOP (0,209po, 5,30mm de largeur)
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 190µA	Numéro de produit de base NVMJST0D9