Name: NVMFWS2D1N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND
Price: 3.751 EUR
Availability: InStock

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NVMFWS2D1N08XT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFWS2D1N08XT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFWS2D1N08XT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFWS2D1N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFWS2D1N08XT1G
Description	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 181 A (Tc) 148W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53 nC @ 6 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3800 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 148W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 181 A (Tc)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,1mohms à 43A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties
Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 213µA	Numéro de produit de base NVMFWS