Name: NVMFS5C612NLAFT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND
Price: 5.2514 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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NVMFS5C612NLAFT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFS5C612NLAFT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFS5C612NLAFT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS5C612NLAFT1G
Description	NFET SO8FL 60V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 38 A (Ta), 250 A (Tc) 3,8W (Ta), 167W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 91 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6660 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 167W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Grade Automobile
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 38 A (Ta), 250 A (Tc)	Qualification AEC-Q101
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Type de montage Montage en surface
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 50A, 10V	Boîtier fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 1 340

Stock usine : 6 000

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1 500	1,46331 €	2 194,97 €

Conditionnement standard du fabricant

488-NVMFS5C612NLAFT1GDKR-ND

Prix unitaire sans TVA:	4,34000 €
Prix unitaire avec TVA:	5,25140 €

NVMFS5C612NLAFT1G