Name: NVJD4158CT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVJD4158CT1GTR-ND
Price: 0.605 EUR
Availability: InStock

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NVJD4158CT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVJD4158CT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVJD4158CT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVJD4158CT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVJD4158CT1G
Description	MOSFET N/P-CH 30V 0.25A SC88
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 250mA (Ta), 880mA (Ta) 270mW (Ta) Montage en surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,5nC à 5V, 3,5nC à 5V
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 20pF à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 270mW (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration Canaux N et P	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 250mA (Ta), 880mA (Ta)	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 10mA, 4,5V	Boîtier fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 100µA