Name: NVE4153NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVE4153NT1GOSTR-ND
Price: 0.847 EUR
Availability: InStock

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NVE4153NT1G
Numéro de produit DigiKey	NVE4153NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NVE4153NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVE4153NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVE4153NT1G
Description	MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Montage en surface SC-89-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.82 nC @ 4.5 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±6V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 110 pF @ 16 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 300mW (Tj)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 915mA (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Boîtier fournisseur SC-89-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 230mohms à 600mA, 4,5V	Boîtier SC-89, SOT-490
Vgs(th) (max.) à Id 1,1V à 250µA	Numéro de produit de base NVE4153