Name: NVBYST1D4N08XTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVBYST1D4N08XTXGTR-ND
Price: 4.9731 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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NVBYST1D4N08XTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NVBYST1D4N08XTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NVBYST1D4N08XTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVBYST1D4N08XTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVBYST1D4N08XTXG
Description	MOSFET N-CH 80V 396A 16TCPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	57 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 396A (Tc) 441W (Tc) Montage en surface 16-TCPAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 96 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6895 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 441W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 396A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 16-TCPAK
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,4mohms à 75A, 10V	Boîtier Module 16-PowerSOP
Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 375µA