Name: NVBG160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG160N120SC1TR-ND
Price: 13.3947 EUR
Availability: InStock

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NVBG160N120SC1
Numéro de produit DigiKey	5556-NVBG160N120SC1TR-ND - Bande et bobine 5556-NVBG160N120SC1CT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NVBG160N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVBG160N120SC1
Description	SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 19,5 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVBG160N120SC1 Modèles

Attributs du produit

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Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33.8 nC @ 20 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) +25V, -15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 678 pF @ 800 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 136W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19,5 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V	Boîtier fournisseur D2PAK-7
Rds On (max.) à Id, Vgs 224mohms à 12A, 20V	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Vgs(th) (max.) à Id 4,3V à 2,5mA	Numéro de produit de base NVBG160