Name: NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGTR-ND
Price: 2.3111 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Numéro de produit DigiKey	488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGTR-ND - Bande et bobine 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTTFSSCH4D0N08XLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFSSCH4D0N08XLTWG
Description	MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 107 A (Tc) 102W (Tc) Montage en surface 9-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	107 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,6mohms à 23A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 115µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2520 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	102W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	9-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier	9-PowerUDFN