Name: NTTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 1.2947 EUR
Availability: InStock

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NTTFS5116PLTWG
Numéro de produit DigiKey	NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Bande et bobine NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFS5116PLTWG
Description	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 5,7 A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTTFS5116PLTWG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	52mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1258 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,2W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier	8-PowerWDFN
Numéro de produit de base	NTTFS5