NTR4171PT3G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Canal P 30 V 2,2 A (Ta) 480mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTR4171PT3G

Numéro de produit DigiKey
NTR4171PT3G-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTR4171PT3G
Description
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
Référence client
Description détaillée
Canal P 30 V 2,2 A (Ta) 480mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTR4171PT3G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
75mohms à 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
720 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
480mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.
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