Name: NTR1P02LT3G
Brand: onsemi
SKU: NTR1P02LT3GOSTR-ND
Price: 0.4477 EUR
Availability: OutOfStock

NTR1P02LT3G
Numéro de produit DigiKey	NTR1P02LT3GOSTR-ND - Bande et bobine NTR1P02LT3GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTR1P02LT3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTR1P02LT3G
Description	MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 1,3 A (Ta) 400mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTR1P02LT3G Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	220mohms à 750mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,25V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.5 nC @ 4 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	225 pF @ 5 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	400mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	NTR1P02

Quantité	Prix unitaire	Prix total
10 000	0,06390 €	639,00 €
20 000	0,05859 €	1 171,80 €

Prix unitaire sans TVA:	0,37000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,44770 €

NTR1P02LT3G