Name: NTMTSC4D2N10GTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND
Price: 7.865 EUR
Availability: OutOfStock

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NTMTSC4D2N10GTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NTMTSC4D2N10GTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMTSC4D2N10GTXG
Description	100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3,9W (Ta), 267W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-TDFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 450µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 159 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10450 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,9W (Ta), 267W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21A (Ta), 178A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-TDFNW (8,3x8,4)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,2mohms à 88A, 10V