Name: NTMTSC4D2N10GTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND
Price: 7.4778 EUR
Availability: InStock

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NTMTSC4D2N10GTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NTMTSC4D2N10GTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NTMTSC4D2N10GTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMTSC4D2N10GTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMTSC4D2N10GTXG
Description	100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 21A (Ta), 178A (Tc) 3,9W (Ta), 267W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-TDFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	21A (Ta), 178A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,2mohms à 88A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 450µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	159 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10450 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,9W (Ta), 267W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	8-TDFNW (8,3x8,4)
Boîtier	8-PowerTDFN