Name: NTMS4177PR2G
Brand: onsemi
SKU: NTMS4177PR2GTR-ND
Price: 1.7666 EUR
Availability: InStock

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NTMS4177PR2G
Numéro de produit DigiKey	NTMS4177PR2GTR-ND - Bande et bobine NTMS4177PR2GCT-ND - Bande coupée (CT) NTMS4177PR2GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMS4177PR2G
Description	MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 6,6 A (Ta) 840mW (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMS4177PR2G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3100 pF @ 24 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 840mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,6 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 11,4A, 10V	Numéro de produit de base NTMS41