


NTHL022N120M3S | |
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Numéro de produit DigiKey | 5556-NTHL022N120M3S-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTHL022N120M3S |
Description | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 21 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 68 A (Tc) 352W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 20mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 139 nC @ 18 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +22V, -10V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3130 pF @ 800 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 352W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 30mohms à 40A, 18V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 17,54000 € | 17,54 € |
| 10 | 12,53500 € | 125,35 € |
| 450 | 9,16840 € | 4 125,78 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 17,54000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 21,22340 € |




