Name: NTHD4102PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD4102PT1GOSTR-ND
Price: 1.7182 EUR
Availability: InStock

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NTHD4102PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTHD4102PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTHD4102PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTHD4102PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHD4102PT1G
Description	MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 2,9A 1,1W Montage en surface ChipFET™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTHD4102PT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,6nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 750pF à 16V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,1W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SMD, broches plates
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur ChipFET™
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,9A	Numéro de produit de base NTHD4102
Rds On (max.) à Id, Vgs 80mohms à 2,9A, 4,5V