Name: NTHD3100CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTHD3100CT1GOSTR-ND
Price: 1.7182 EUR
Availability: InStock

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NTHD3100CT1G
Numéro de produit DigiKey	NTHD3100CT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTHD3100CT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTHD3100CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHD3100CT1G
Description	MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 2,9 A, 3,2 A 1,1W Montage en surface ChipFET™
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTHD3100CT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2,3nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 165pF à 10V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 1,1W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SMD, broches plates
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur ChipFET™
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,9 A, 3,2 A	Numéro de produit de base NTHD3100
Rds On (max.) à Id, Vgs 80mohms à 2,9A, 4,5V