Name: NTGD4167CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGD4167CT1GOSTR-ND
Price: 1.0043 EUR
Availability: InStock

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NTGD4167CT1G
Numéro de produit DigiKey	NTGD4167CT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTGD4167CT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTGD4167CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTGD4167CT1G
Description	MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 2,6 A, 1,9 A 900mW Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTGD4167CT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,6 A, 1,9 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	90mohms à 2,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5,5nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	295pF à 15V
Puissance - Max.	900mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Numéro de produit de base	NTGD4167

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