Name: NTE4151PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTE4151PT1GOSTR-ND
Price: 0.5566 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTE4151PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTE4151PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTE4151PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTE4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTE4151PT1G
Description	MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Montage en surface SC-89-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTE4151PT1G Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2.1 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±6V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 156 pF @ 5 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 313mW (Tj)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 760mA (Tj)	Boîtier fournisseur SC-89-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier SC-89, SOT-490
Rds On (max.) à Id, Vgs 360mohms à 350mA, 4,5V	Numéro de produit de base NTE4151