Name: NTB25P06T4G
Brand: onsemi
SKU: NTB25P06T4GOSTR-ND
Price: 3.388 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTB25P06T4G
Numéro de produit DigiKey	NTB25P06T4GOSTR-ND - Bande et bobine NTB25P06T4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTB25P06T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTB25P06T4G
Description	MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 27,5 A (Ta) 120W (Tj) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±15V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1680 pF @ 25 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 120W (Tj)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 27,5 A (Ta)	Boîtier fournisseur D2PAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 82mohms à 25A, 10V	Numéro de produit de base NTB25