Name: NSVMUN2212T1G
Brand: onsemi
SKU: NSVMUN2212T1GOSTR-ND
Price: 0.2178 EUR
Availability: InStock

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NSVMUN2212T1G
Numéro de produit DigiKey	NSVMUN2212T1GOSTR-ND - Bande et bobine NSVMUN2212T1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NSVMUN2212T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NSVMUN2212T1G
Description	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	31 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 230 mW Montage en surface SC-59
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NSVMUN2212T1G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires prépolarisés, simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 60 à 5mA, 10V
Fabricant onsemi	Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 250mV à 300µA, 10mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 500nA
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 230 mW
Type de transistor NPN - Prépolarisé	Grade Automobile
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 mA	Qualification AEC-Q101
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50 V	Type de montage Montage en surface
Résistances incluses R1 et R2	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Résistance - Base (R1) 22 kOhms	Boîtier fournisseur SC-59
Résistance - Base d'émetteur (R2) 22 kOhms	Numéro de produit de base MUN2212