Name: NSVMMUN2217LT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVMMUN2217LT1GTR-ND
Price: 0.1815 EUR
Availability: OutOfStock

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NSVMMUN2217LT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NSVMMUN2217LT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NSVMMUN2217LT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NSVMMUN2217LT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NSVMMUN2217LT1G
Description	TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	51 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples prépolarisés NPN - Prépolarisé 50 V 100 mA 246 mW Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NSVMMUN2217LT1G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires prépolarisés, simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 35 à 5mA, 10V
Fabricant onsemi	Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 250mV à 1mA, 10mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 500nA
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 246 mW
Type de transistor NPN - Prépolarisé	Grade Automobile
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100 mA	Qualification AEC-Q101
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50 V	Type de montage Montage en surface
Résistances incluses R1 et R2	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Résistance - Base d'émetteur (R2) 10 kOhms	Numéro de produit de base MMUN2217