Name: NSS40302PDR2G
Brand: onsemi
SKU: NSS40302PDR2GOSTR-ND
Price: 1.8876 EUR
Availability: InStock

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NSS40302PDR2G
Numéro de produit DigiKey	NSS40302PDR2GOSTR-ND - Bande et bobine NSS40302PDR2GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NSS40302PDR2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NSS40302PDR2G
Description	TRANS NPN/PNP 40V 3A 8-SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices 1 NPN, 1 PNP 40V 3A 100MHz 653mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NSS40302PDR2G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	3A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	40V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	115mV à 200mA, 2A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	180 à 1A, 2V
Puissance - Max.	653mW
Fréquence - Transition	100MHz
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	NSS40302