Name: NSS1C200MZ4T1G
Brand: onsemi
SKU: NSS1C200MZ4T1GOSTR-ND
Price: 0.8833 EUR
Availability: InStock

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NSS1C200MZ4T1G
Numéro de produit DigiKey	NSS1C200MZ4T1GOSTR-ND - Bande et bobine NSS1C200MZ4T1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NSS1C200MZ4T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NSS1C200MZ4T1G
Description	TRANS PNP 100V 2A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	41 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 100 V 2 A 120MHz 800 mW Montage en surface SOT-223 (TO-261)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NSS1C200MZ4T1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 120 à 500mA, 2V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 800 mW
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Fréquence - Transition 120MHz
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor PNP	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 2 A	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 100 V	Boîtier fournisseur SOT-223 (TO-261)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 220mV à 200mA, 2A	Numéro de produit de base NSS1C200
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100 nA (ICBO)