Name: NJVMJD122T4G
Brand: onsemi
SKU: NJVMJD122T4GOSTR-ND
Price: 1.452 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NJVMJD122T4G
Numéro de produit DigiKey	NJVMJD122T4GOSTR-ND - Bande et bobine NJVMJD122T4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NJVMJD122T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NJVMJD122T4G
Description	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Puissance - Max. 1.75 W
Fabricant onsemi	Fréquence - Transition 4MHz
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Type de transistor NPN - Darlington	Qualification AEC-Q101
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 8 A	Type de montage Montage en surface
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 100 V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 4V à 80mA, 8A	Boîtier fournisseur DPAK
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 10µA	Numéro de produit de base NJVMJD122
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 1000 à 4A, 4V