Canal P 60 V 30 A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface D2PAK
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MTBV30P06VT4G

Numéro de produit DigiKey
488-MTBV30P06VT4G-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
MTBV30P06VT4G
Description
POWER MOSFET -60V -30A 80 MOHM S
Référence client
Description détaillée
Canal P 60 V 30 A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
80mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2190 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
D2PAK
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
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