Name: MMJT350T1G
Brand: onsemi
SKU: MMJT350T1GOSTR-ND
Price: 1.2463 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

MMJT350T1G
Numéro de produit DigiKey	MMJT350T1GOSTR-ND - Bande et bobine MMJT350T1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MMJT350T1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MMJT350T1G
Description	TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 300 V 500 mA 650 mW Montage en surface SOT-223 (TO-261)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 30 à 50mA, 10V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 650 mW
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Statut du composant Actif	Type de montage Montage en surface
Type de transistor PNP	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 500 mA	Boîtier fournisseur SOT-223 (TO-261)
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 300 V	Numéro de produit de base MMJT350
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100 nA (ICBO)