Name: MMBT5550LT3G
Brand: onsemi
SKU: MMBT5550LT3GOSTR-ND
Price: 0.2057 EUR
Availability: InStock

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MMBT5550LT3G
Numéro de produit DigiKey	MMBT5550LT3GOSTR-ND - Bande et bobine MMBT5550LT3GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MMBT5550LT3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MMBT5550LT3G
Description	TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	44 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN 140 V 600 mA 225 mW Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MMBT5550LT3G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100nA
Fabricant onsemi	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 60 à 10mA, 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 225 mW
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor NPN	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 600 mA	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 140 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 250mV à 5mA, 50mA	Numéro de produit de base MMBT5550

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Documents et supports

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Quantité

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