Name: MJD112T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD112T4GOSTR-ND
Price: 1.089 EUR
Availability: InStock

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MJD112T4G
Numéro de produit DigiKey	MJD112T4GOSTR-ND - Bande et bobine MJD112T4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MJD112T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MJD112T4G
Description	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MJD112T4G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de transistor	NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	2 A
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	100 V
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic	3V à 40mA, 4A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	20µA
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce	1000 à 2A, 3V
Puissance - Max.	20 W
Fréquence - Transition	25MHz
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Boîtier fournisseur	DPAK
Numéro de produit de base	MJD112

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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