Name: HUF76639S3ST
Brand: onsemi
SKU: HUF76639S3STFSTR-ND
Price: 3.3396 EUR
Availability: InStock

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HUF76639S3ST
Numéro de produit DigiKey	HUF76639S3STFSTR-ND - Bande et bobine HUF76639S3STFSCT-ND - Bande coupée (CT) HUF76639S3STFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	HUF76639S3ST
Description	MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 51 A (Tc) 180W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V
Série UltraFET™	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2400 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 180W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 51 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base HUF76639
Rds On (max.) à Id, Vgs 26mohms à 51A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (9)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BUK7626-100B,118	Nexperia USA Inc.	28	1727-4705-1-ND	2,09000 €	Similaire
BUK9629-100B,118	Nexperia USA Inc.	85	1727-4716-1-ND	2,21000 €	Similaire
IPB35N10S3L26ATMA1	Infineon Technologies	6 718	448-IPB35N10S3L26ATMA1CT-ND	2,45000 €	Similaire
IXTA75N10P	IXYS	151	IXTA75N10P-ND	6,00000 €	Similaire
PHB45NQ10T,118	Nexperia USA Inc.	658	1727-4766-1-ND	2,38000 €	Similaire