Name: HGTD1N120BNS9A
Brand: onsemi
SKU: HGTD1N120BNS9ATR-ND
Price: 2.3595 EUR
Availability: InStock

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HGTD1N120BNS9A
Numéro de produit DigiKey	HGTD1N120BNS9ATR-ND - Bande et bobine HGTD1N120BNS9ACT-ND - Bande coupée (CT) HGTD1N120BNS9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	HGTD1N120BNS9A
Description	IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT NPT 1200 V 5.3 A 60 W Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	HGTD1N120BNS9A Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT IGBT simples	Énergie de commutation 70µJ (marche), 90µJ (arrêt)
Fabricant onsemi	Type d'entrée Standard
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille 14 nC
Statut du composant Actif	Td (on/off) à 25°C 15ns/67ns
Type d'IGBT NPT	Condition de test 960V, 1A, 82ohms, 15V
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 1200 V	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 5.3 A	Type de montage Montage en surface
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 6 A	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,9V à 15V, 1A	Boîtier fournisseur TO-252AA
Puissance - Max. 60 W	Numéro de produit de base HGTD1N120