Name: FQD1N80TM
Brand: onsemi
SKU: FQD1N80TMTR-ND
Price: 1.7303 EUR
Availability: InStock

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FQD1N80TM
Numéro de produit DigiKey	FQD1N80TMTR-ND - Bande et bobine FQD1N80TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQD1N80TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQD1N80TM
Description	MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 1 A (Tc) 2,5W (Ta), 45W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7.2 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±30V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 195 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 45W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQD1N80
Rds On (max.) à Id, Vgs 20ohms à 500mA, 10V