Name: FQB55N10TM
Brand: onsemi
SKU: FQB55N10TMTR-ND
Price: 3.4606 EUR
Availability: InStock

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FQB55N10TM
Numéro de produit DigiKey	FQB55N10TMTR-ND - Bande et bobine FQB55N10TMCT-ND - Bande coupée (CT) FQB55N10TMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQB55N10TM
Description	MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 55 A (Tc) 3,75W (Ta), 155W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FQB55N10TM Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 98 nC @ 10 V
Série QFET®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2730 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,75W (Ta), 155W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FQB55N10
Rds On (max.) à Id, Vgs 26mohms à 27,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 879

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
800	0,92506 €	740,05 €
1 600	0,85994 €	1 375,90 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	2,86000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,46060 €

FQB55N10TM