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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FJV1845PMTF | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FJV1845PMTFTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FJV1845PMTF |
Description | TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN 120 V 50 mA 110MHz 300 mW Montage en surface SOT-23-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FJV1845PMTF Modèles |
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Catégorie | Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 200 à 1mA, 6V |
Fabricant | Puissance - Max. 300 mW |
Conditionnement Bande et bobine | Fréquence - Transition 110MHz |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Type de transistor | Type de montage Montage en surface |
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 50 mA | Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 120 V | Boîtier fournisseur SOT-23-3 |
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 300mV à 1mA, 10mA | Numéro de produit de base |
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 50 nA (ICBO) |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| MMBT5551M3T5G | onsemi | 472 | MMBT5551M3T5GOSCT-ND | 0,15000 € | Similaire |
| MMBT6429LT1G | onsemi | 30 478 | MMBT6429LT1GOSCT-ND | 0,14000 € | Similaire |
| 2SC2713-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 5 358 | 2SC2713-BLLFCT-ND | 0,23000 € | Similaire |
| 2SC2713-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 29 446 | 2SC2713-GRLFCT-ND | 0,22000 € | Similaire |
| FMMT415TD | Diodes Incorporated | 1 956 | FMMT415TDCT-ND | 10,78000 € | Similaire |
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