Name: FDT86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDT86113LZTR-ND
Price: 1.6819 EUR
Availability: InStock

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FDT86113LZ
Numéro de produit DigiKey	FDT86113LZTR-ND - Bande et bobine FDT86113LZCT-ND - Bande coupée (CT) FDT86113LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDT86113LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 3,3 A (Tc) 2,2W (Ta) Montage en surface SOT-223-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDT86113LZ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.8 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 315 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,2W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur SOT-223-4
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,3 A (Tc)	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDT86113
Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 3,3A, 10V