Name: FDT4N50NZU
Brand: onsemi
SKU: 488-FDT4N50NZUTR-ND
Price: 2.0933 EUR
Availability: InStock

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FDT4N50NZU
Numéro de produit DigiKey	488-FDT4N50NZUTR-ND - Bande et bobine 488-FDT4N50NZUCT-ND - Bande coupée (CT) 488-FDT4N50NZUDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDT4N50NZU
Description	POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	50 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 2 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface SOT-223 (TO-261)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3ohms à 1A, 10V
Fabricant onsemi	Vgs(th) (max.) à Id 5,5V à 250µA
Série UltraFRFET™, Unifet™ II	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9.1 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±25V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 476 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 2W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-223 (TO-261)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-261-4, TO-261AA