FDS6912A onsemi | Matrices de FET, MOSFET

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FDS6912A
Numéro de produit DigiKey	FDS6912ATR-ND - Bande et bobine FDS6912ACT-ND - Bande coupée (CT) FDS6912ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS6912A
Description	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 6A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDS6912A Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 28mohms à 6A, 10V
Fabricant onsemi	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Série PowerTrench®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,1nC à 5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 575pF à 15V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 900mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6A	Numéro de produit de base FDS69

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSO220N03MDGXUMA1	Infineon Technologies	7 598	BSO220N03MDGXUMA1CT-ND	1,06000 €	Similaire
STS8DNF3LL	STMicroelectronics	6 889	497-2470-1-ND	1,61000 €	Similaire