Name: FDS6675BZ
Brand: onsemi
SKU: FDS6675BZTR-ND
Price: 1.4641 EUR
Availability: InStock

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FDS6675BZ
Numéro de produit DigiKey	FDS6675BZTR-ND - Bande et bobine FDS6675BZCT-ND - Bande coupée (CT) FDS6675BZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS6675BZ
Description	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 11 A (Ta) 2,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDS6675BZ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 62 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2470 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Ta)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDS6675
Rds On (max.) à Id, Vgs 13mohms à 11A, 10V