Name: FDS3890
Brand: onsemi
SKU: FDS3890TR-ND
Price: 2.9524 EUR
Availability: InStock

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FDS3890
Numéro de produit DigiKey	FDS3890TR-ND - Bande et bobine FDS3890CT-ND - Bande coupée (CT) FDS3890DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDS3890
Description	MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 80V 4,7A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 44mohms à 4,7A, 10V
Fabricant onsemi	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série PowerTrench®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35nC à 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1180pF à 40V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 900mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 80V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,7A	Numéro de produit de base FDS38