FDP8030L onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FDP8030L
Numéro de produit DigiKey	488-FDP8030L-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDP8030L
Description	MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 80 A (Ta) 187W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,5mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	170 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10500 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	187W (Tc)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	FDP80