Name: FDMC86102LZ
Brand: onsemi
SKU: FDMC86102LZTR-ND
Price: 2.904 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDMC86102LZ
Numéro de produit DigiKey	FDMC86102LZTR-ND - Bande et bobine FDMC86102LZCT-ND - Bande coupée (CT) FDMC86102LZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC86102LZ
Description	MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	32 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Montage en surface 8-MLP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMC86102LZ Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1290 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,3W (Ta), 41W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-MLP (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Ta), 18 A (Tc)	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base FDMC86102
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 6,5 A, 10V