Name: FDMC510P
Brand: onsemi
SKU: FDMC510PTR-ND
Price: 3.1944 EUR
Availability: InStock

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FDMC510P
Numéro de produit DigiKey	FDMC510PTR-ND - Bande et bobine FDMC510PCT-ND - Bande coupée (CT) FDMC510PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMC510P
Description	MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	37 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 12 A (Ta), 18 A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Montage en surface 8-MLP (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMC510P Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 116 nC @ 4.5 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7860 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,3W (Ta), 41W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur 8-MLP (3,3x3,3)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Ta), 18 A (Tc)	Boîtier 8-PowerWDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Numéro de produit de base FDMC510
Rds On (max.) à Id, Vgs 8mohms à 12A, 4,5V