FDG8850NZ onsemi | Matrices de FET, MOSFET

FDG8850NZ est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : 0,50000 €

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FDG8850NZ
Numéro de produit DigiKey	FDG8850NZTR-ND - Bande et bobine FDG8850NZCT-ND - Bande coupée (CT) FDG8850NZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDG8850NZ
Description	MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC88
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 750mA 300mW Montage en surface SC-88 (SC-70-6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDG8850NZ Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 400mohms à 750mA, 4,5V
Fabricant onsemi	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Série PowerTrench®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,44nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 120pF à 10V
Statut du composant Obsolète	Puissance - Max. 300mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur SC-88 (SC-70-6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 750mA	Numéro de produit de base FDG8850